В He-H2-плазме, возбуждаемой пучком низкоэнергетичных (2 - 10 кэВ) электронов, определен диапазон условий для формирования инверсной населенности на переходах атома гелия λ 706,5 нм (33 S-23 P) и l 587,6 нм (33 D-23 P).
Бердников А.А., Держиев В.И., Муравьев И.И., Яковленко С.И., Янчарина А.М. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 11. С. 2179–2199.
2. Демкин В.П., Держиев В.И., Жидков А.Г. и др. Кинетика рекомбинационно-неравновесной He–H2-плазмы в разряде пучкового типа // Квантовая электроника. 1988. Т. 15. Вып. 12. С. 1217–1219.
3. Pixton R., Fowles G. // Phis. Lett. 1969. V. 29A. № 11. P. 654–655.
4. Schmieder D., Salamon T. // Opt. Comm. 1985. V. 55. № 1. P. 49–54.